多芯片混合集成瓦级LED封装几种新结构

2024/02/13 | 作者：BOB体育地址

　　多芯片混合集成技能是完成瓦级led的重要办法之一.因为传统小芯片工艺老练,集成技能简略,侧光利用率较高(相对于大尺度芯片),散热作用较好(相对于传统炮弹型结构.试验标明,1瓦级LED的发光功率提高了80-100%,防静电和工程化问题能得到较好的处理.本文对新结构和开始试验成果作简略的介绍.

　　硅基板由硅衬底,高导热绝缘层和金属反光导电层组成. 衬底基板资料为单晶硅片，具有导热功能好、外表光洁度好、便于加工、 集本钱钱低一级长处.其主要参数如下：热导率：144 w/ m .k,与铝基板根本相同, 厚度适中,以利于导热和加工,本钱：每个基板 0.15元（包含加工费), 外表镀银：光反射率98%. 绝缘层资料选择要考虑导热功能、耐压特性、粘附性和层厚度.试验标明,只需该层特性和参数适中,绝缘功能好,对散热作用影响不大. 金属层是导电层,也是反光层,要求具有十分杰出的导电功能和镜面反射作用.试验标明,它好于一般市售的铝基板.多个芯片混合集成其上,再贴在散热支架上.硅基板最宊出的特点是便于在硅层上做防静电集成和工程化.

　　多个芯片以4x4阵列方式直接混合集成在金属板上,再贴在散热支架上.其特点是便于工程化.

　　多个芯片以4x4阵列方式直接混合集成在散热支架上. 其特点是散热更好,功率更加高,但工程化难度大.